激光测定硅单晶的晶向实验引言

       同一单晶不同晶面上的原子密度不同，因此在各个不同方向上所表现出的物理性质也不一样。例如，单晶硅（111）面上原子密度最大，在扩散中杂质沿[111] 方向扩散最慢，因而便于控制、容易获得均匀平整的结面，在硅器件生产中因此也常常要求取向为[111]的单晶。也有些器件，如MOS 器件目前大多采用（100）晶面，因为该晶面氧化成的SiO2 所具有的表面态比（111）、（110）晶向都小，利于开启电压的降低;同时,(100)面载流子迁移率较大，利于条跨导、增加速度。可见，在科研和生产中测定半导体单晶的晶向十必不可少的。

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